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非晶半導體的能隙狀態密度
作者:蘇賢錫(國立臺灣師範大學理學院物理系)

摘要：

《詳全文》

Journal directory listing - Volume 21-30 (1976-1985) - Volume 29 (1984)
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The Gap State Density in Amorphous Semiconductors
Author: Hsien-hsi Su

Abstract：

A one-electron theory of non-equilibrium trap occupancy in amorphous semiconductors has been proposed, resulting in simple expressions for electrons in states above the equilibrium Fermi level. The state density is then obtained by transient photoconductivity analysis.